降低损耗
成本低
金属
砷化镓(GaAs)
具有更窄的禁带宽度
漏电流
辐射剂量累积的效应
加热退火
电磁辐射
X射线
自由电子
电负性
强电场
氮气
输出功率
以上都是
功率放大器
36000
GEO
无
天线增益
无
缺陷俘获载流子会降低沟道中的载流子浓度,会导致晶体管的阈值电压偏移;缺陷俘获释放载流子的过程会降低沟道迁移率;此外产生的缺陷还可能引起SRH产生-复合电流。总体上会改变工作电压条件下晶体管的工作电流,增大关断时的漏电流。
辐射粒子进入靶材后,靶材料的核外电子吸收入射粒子的能量,而脱离原子核的束缚,从而导致电离效应的产生。
无
位移损伤效应是指高能粒子进入半导体材料后,通过非电离碰撞失去能量导致材料中的原子离开原来的晶格位置而转移到其他位置上的一种辐射效应
随着压强的下降,粒子间的平均自由程增加,电子在强电场作用下随着平均自由程的增加积累了更多的动能,在与气体分子发生碰撞时更容易发生电离。
气体击穿是指在强电场作用下,电子与气体分子发生碰撞产生电离。当电场强度达到气体的击穿电场强度时,气体中的电子会被电场力加速,以足够的能量撞击其他原子或分子,使其电离,在碰撞过程中新产生的电子数急剧增加,最终形成导电通道产生放电现象。
无
星载发送端射频电路主要包括上变频器,滤波器,功率放大器和天线等。